抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本論文では,銅メッキ薄膜の3種類のクリープ特性について述べる。テンシルクリープそして破裂クリープ試験が353K,373K,398Kそして423Kにおいて30mmゲージ長,5mm幅及び12μm厚さの3種類銅メッキ薄膜で実施された。銅メッキ薄膜メッキは直流薄膜(DC),周期逆パルス薄膜(PL),そしてビアホール薄膜(VF)である。DCとVFは同じクリープ断裂寿命を示し,それはPLより長かった。薄膜のこれらの種類では明らかな過度そして安定なクリープステージが見られたが,加速クリープステージは見られなかった。PLの最小クリープひずみ速度はDC及びVFのそれより早く,これはクリープ断裂寿命と良く一致する。より早いクリープひずみ速度を生ずる薄膜は,短いクリープ断裂寿命を持つ。最小クリープひずみ速度及びクリープ断裂寿命の関係はMonkman-Grant方程式のより良く表された。クリープ断裂寿命は主にクリープ変形速度により制御されるため,ゆっくりしたクリープひずみ速度の薄膜は,電子デバイスの使用には強固なクリープ抵抗を持つため好ましいことを意味する。異なる温度でのクリープ断裂寿命は,それぞれの薄膜におけるLarson-Millerパラメータと良く相関した。相関関係は,比較的短いクリープ試験からより長いクリープ断裂寿命を得るために温度加速試験が実効できることを示した。