文献

J-GLOBAL ID：201102225486791979   整理番号：11A1057968

Gaを添加したp型Mg₂SiおよびMg₂Si_0.6Ge_0.4化合物の熱電特性と電子構造

Thermoelectric properties and electronic structure of p-type Mg₂Si and Mg₂Si_0.6Ge_0.4 compounds doped with Ga

著者 (5件)： IHOU-MOUKO H. (Inst. Jean Lamour (I.J.L.) - UMR 7198 - Nancy-Universite, Ecole Nationale des Mines de Nancy, Parc de Saurupt, F ...) ,  MERCIER C. (Inst. Jean Lamour (I.J.L.) - UMR 7198 - Nancy-Universite, Ecole Nationale des Mines de Nancy, Parc de Saurupt, F ...) ,  TOBOLA J. (Fac. of Physics and Applied Computer Sci., AGH Univ. of Sci. and Technol., Al. Mickiewicza 30, 30-059 Cracow, POL) ,  PONT G. (Centre National d’Etudes Spatiales (CNES), 18 avenue Edouard Belin, 31401 Toulouse Cedex 09, FRA) ,  SCHERRER H. (Inst. Jean Lamour (I.J.L.) - UMR 7198 - Nancy-Universite, Ecole Nationale des Mines de Nancy, Parc de Saurupt, F ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 509  号： 23  ページ： 6503-6508  発行年： 2011年06月09日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タンタル坩堝中の直接融解とホットプレスによりMg₂Si:Ga_xおよびMg₂Si_0.6Ge_0.4:Ga_x(x=0.4%および0.8%)固溶体を合成した。300~850Kの温度範囲で熱起電力,電気抵抗率,Hall係数および熱伝導率を測定し,熱電特性に及ぼすGa添加の影響を調査した。熱起電力とHall係数がいずれも正であることから,全ての試料はこの温度範囲でp型伝導であることが分かった。Mg₂Si_0.6Ge_0.4:Ga(0.8%)化合物は625K(ZT~0.36)において最大の無次元性能係数ZT値を示した。Mg₂SiおよびMg₂Si_0.6Ge_0.4(Si/Geサイト)における希釈GaはFermi準位が荷電子バンド端に移動して正孔ドナーとして振舞うため,Ga添加Mg₂SiおよびMg₂Si_0.6Ge_0.4化合物の熱電挙動のp型特性はKorringa-Kohn-Rostoker法および修正ポテンシャル近似(KKR-CPA)と良く一致した。荷電子バンド端におけるGa不純物からのDOSの大きなピークの始まりは,Ga添加試料で測定された高いSeebeck係数により裏付けられた。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *熱電材料 ,  電気特性 ,  *ケイ化物 ,  マグネシウム化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  添加物効果 ,  ガリウム ,  *電子構造 ,  依存性 ,  固溶体 ,  温度依存性 ,  熱起電力 ,  電気抵抗率 ,  係数 ,  熱伝導率 ,  P型半導体 ,  性能指数 ,  Fermi準位 ,  近似法 ,  バンド構造 ,  状態密度 ,  輸送係数 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  Hall係数 ,  KKR法【近似法】 ,  Seebeck係数 ,  組成依存性
準シソーラス用語： Korringa-Kohn-Rostoker法 ,  熱電特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ga ,  熱電特性 ,  電子構造