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J-GLOBAL ID：201102225559287891   整理番号：11A1180032

次世代1700VトレンチゲートFS-IGBTの開発

Development of the next generation 1700V trench-gate FS-IGBT

著者 (5件)： ONOZAWA Y. (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  OZAKI D. (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  NAKANO H. (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  YAMAZAKI T. (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  FUJISHIMA N. (Fuji Electric Systems Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 52-55  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微細pベース構造と新開発の電界阻止層(FS)を用いることにより,低雑音と低消費電力の新1700Vトレンチゲート絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(FS-IGBT)を開発することに成功した。従来型IGBTと比較して,この新FS-IGBTは同一コレクターピーク電流下でターンオン消費電力の30%削減を実現することができた。従来型トレンチゲートFS-IGBTと比較して,同一電流密度下でそのオン状態電圧降下を0.25V低減することに成功した。極限条件ででもターンオフ発振なしでオン状態電圧とターンオフ消費電力間のトレードオフを約25%改善した。さらに,新電界阻止層により,大短絡回路電流耐性と高臨界熱暴走温度を実現し,175°Cの最大接合温度を得た。

シソーラス用語： *IGBT ,  *トレンチカット【加工】 ,  *ゲート【半導体】 ,  *雑音低減 ,  電動機駆動 ,  スイッチング素子 ,  熱安定性 ,  電位分布 ,  短絡電流 ,  静特性 ,  漏れ電流 ,  *電力消費 ,  電流密度 ,  温度
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  熱暴走 ,  接合温度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  トレンチゲート ,  IGBT ,  開発