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J-GLOBAL ID：201102225638477876   整理番号：11A0111688

超伝導バルクのJ_c分布とパルス着磁特性(I)-ゼロ磁場冷却着磁(ZFC)との比較-

著者 (4件)： 荒屋敷貴大 (岩手大) ,  古田大樹 (岩手大) ,  内藤智之 (岩手大) ,  藤代博之 (岩手大)
資料名： 低温工学・超電導学会講演概要集  (低温工学・超電導学会研究発表会講演概要集)
巻： 83rd  ページ： 158  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： G0564B  ISSN： 0919-5998  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超伝導バルク体内のピン止め力の不均一性と捕捉磁場分布の関係については,定性的には議論されているが,完全な理解には至っていない。パルス着磁ではピン止め力の弱い部分から磁場が侵入することは予想されるが,ピン止め力の強い部分に磁場が捕捉されるのか,あるいは弱い部分に捕捉されるのか,明らかにされていない。そこで本研究では,これまでパルス着磁を行った超伝導バルク体においてゼロ磁場冷却着磁(ZFC)を行い,両者のバルク周辺部における捕捉磁場分布からピン止め力分布について考察する。(著者抄録)

シソーラス用語： *超伝導体 ,  ガドリニウム化合物 ,  *磁化 ,  静磁場 ,  *磁場 ,  空間分布 ,  磁束ピン止め ,  臨界電流密度
準シソーラス用語： パルス磁場 ,  *着磁 ,  *捕捉磁場

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 伝導 ,  バルク ,  分布 ,  パルス着磁 ,  ゼロ磁場冷却 ,  着磁