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J-GLOBAL ID:201102225833458827   整理番号:11A1481334

陽電子消滅分光法によって陽子を照射された多孔質シリコンおよびシリコン基板におけるナノ物質を研究する可能性

Possibilities of studying nanoobjects in porous silicon and silicon substrates irradiated with protons by positron annihilation spectroscopy
著者 (8件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 700-705  発行年: 2010年04月 
JST資料番号: W0823A  ISSN: 1063-7834  CODEN: PSOSED  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)

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