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J-GLOBAL ID：201102226309807837   整理番号：11A0167744

垂直配向した多結晶シリコンおよび非晶質シリコンナノワイヤーのエッチング方向制限による金属触媒エッチング

Metal-Catalyzed Etching of Vertically Aligned Polysilicon and Amorphous Silicon Nanowire Arrays by Etching Direction Confinement

著者 (4件)： CHANG Shih-Wei (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  CHUANG Vivian P. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  BOLES Steven T. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  THOMPSON Carl V. (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 24  ページ： 4364-4370  発行年： 2010年12月21日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノワイヤーは電子デバイス等への応用が期待され,方位制御されたナノワイヤーアレイの作製法が研究されている。本研究では,(100),(110)および(111)シリコン基板を用い,異なる3種類の形状を持つAu触媒を用いてナノワイヤーの作製を行った。Si基板上に,リソグラフィーと電子ビーム蒸着により,Auナノ粒子アレイ,ナノホール周期の異なる2種類のAuメッシュを堆積させた。その後,HF-H₂O₂-H₂Oを用いてエッチングの後,得られた形態をTEMおよびSEMにより観察した。その結果,エッチングは<100>方向に優先的に進行することを示した。さらに,大きい周期のメッシュを用いた場合,基板に垂直方向にエッチングが進行し,単結晶および非晶質ナノワイヤーが形成されることを明らかにした。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  アレイ ,  ウエハ【IC】 ,  結晶面 ,  遷移金属触媒 ,  パターン形成 ,  エッチング ,  エッチング液 ,  異方性 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  金触媒

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  その他の無機工業薬品,無機材料  (YB02090K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 垂直配向 ,  多結晶シリコン ,  非晶質シリコン ,  ナノワイヤー ,  エッチング ,  制限 ,  金属触媒