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J-GLOBAL ID：201102226365637731   整理番号：11A0967193

多量の不純物を含む補償されたソーラーグレードシリコンウエハおよび太陽電池の電子特性

Electronic properties of highly-doped and compensated solar-grade silicon wafers and solar cells

著者 (5件)： VEIRMAN J. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA) ,  DUBOIS S. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA) ,  ENJALBERT N. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA) ,  GARANDET J.-p. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377, Le Bourget du Lac, FRA) ,  LEMITI M. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), UMR 5270, Univ. of Lyon, INSA-Lyon, 20 rue Albert Einstein, 69621 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 10  ページ： 103711  発行年： 2011年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 冶金ルートによって純化したソーラーグレードシリコン原材料から成長させた二つの高ドープインゴットにおける補償効果を,キャリア密度が同じ条件下での電気的特性を比較することによって精力的に研究した。与えられたキャリア密度において比較研究を行うことによって,ウエハレベルおよび太陽電池レベルにおける補償効果を明確に引き出すことができる。ウエハレベルにおいて,多数キャリア移動度とキャリア寿命を研究した。移動度については,最新のモデルはホウ素の不完全なイオン化の量を過小評価し,結果として移動度を過小評価するように思える。更に,多数キャリアの移動度は,補償レベルが高い場合には強く影響されることが分かった。キャリアの寿命については,得られた結果から,燐の拡散ステップの後ではドーパントだけが,とくにホウ素が多量にドープされたソーラーグレードシリコンにおける寿命を支配することが分かった。太陽電池レベルにおいて,標準的な照射条件の下でI-V特性を研究した。特に,補償度の非常に高い太陽電池で観測される短絡回路電流の低下は,補償によって誘起される少数キャリアの移動度の低下によって説明される。一般的に,太陽電池の作製には不向きであると考えられているホウ素の含有量が2ppmw(2.6×10₁₇cm_-3)以上の太陽電池におけるエネルギー変換効率が15.9%にも達することを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  不純物補償 ,  キャリア密度 ,  ウエハ【IC】 ,  *キャリア移動度 ,  *キャリア寿命 ,  ホウ素 ,  不純物 ,  イオン化 ,  電流電圧特性 ,  短絡電流 ,  少数キャリア ,  エネルギー変換効率 ,  リン ,  不純物拡散
準シソーラス用語： ソーラーグレードシリコン ,  多数キャリア

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不純物 ,  補償 ,  太陽電池 ,  電子