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J-GLOBAL ID：201102226649822482   整理番号：11A0792737

電着法による硫化物薄膜の作製と水分解光電極への応用

著者 (7件)： 池田茂 (大阪大) ,  中村隆幸 (大阪大) ,  原田隆史 (大阪大) ,  野々垣翠 (大阪大) ,  嶺岸耕 (東大) ,  堂免一成 (東大) ,  松村道雄 (大阪大)
資料名： 触媒討論会討論会A予稿集  (触媒討論会(A)講演予稿集)
巻： 107th  ページ： 83  発行年： 2011年03月18日 
JST資料番号： S0874A  ISSN： 1343-9936  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電着法およびスプレー熱分解法を用いて,CuInS₂およびInの一部をGaに置換したCu(In,Ga)S₂薄膜電極を作成した。電極表面にCdS層を堆積させた後,Pt微粒子を担持させることで,水分解光アノードとして作用することを見出した。また,Cu(In,Ga)S₂薄膜電極ではCuInS₂に比べてより小さなバイアス電圧で水分解が進行することを確かめた。(著者抄録)

シソーラス用語： 電着 ,  *硫化物 ,  化学修飾電極 ,  *熱分解 ,  *薄膜成長 ,  *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  膜電極 ,  *分解反応 ,  電圧 ,  光触媒反応 ,  光照射 ,  水素発生反応 ,  *スプレー熱分解 ,  可視光照射 ,  *水分解
準シソーラス用語： バイアス電圧

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電着 ,  硫化物 ,  薄膜 ,  作製 ,  水分解 ,  光電極 ,  応用