Pt/CoSiO<sub>X</sub>/TiN構造をもつRRAM素子における酸化還元反応スイッチング機構

SYU Yong-En; CHANG Ting-Chang; TSAI Tsung-Ming; HUNG Ya-Chi; CHANG Kuan-Chang; TSAI Ming-Jinn; KAO Ming-Jer; SZE Simon M.

文献

J-GLOBAL ID：201102227262908350 整理番号：11A0825286

Pt/CoSiO_X/TiN構造をもつRRAM素子における酸化還元反応スイッチング機構

Redox Reaction Switching Mechanism in RRAM Device With Pt/CoSiO_X/TiN Structure

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資料名：
巻： 32 号： 4 ページ： 545-547 発行年： 2011年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

モバイルエレクトロニクス製品においてRRAMは,構造の簡単さ,低消費電力,高速演算,高密度集積などの面から,魅力的な存在である。このようなMIM構造のセルでは,絶縁層(スイッチング層)は電場誘起抵抗スイッチング挙動を示す。本稿では,スイッチング層としてCMOS構造と互換性のあるCoSiO_xを選択した。標記構造のRRAMを作製し,双極性抵抗スイッチング特性およびその物理的機構を調べた。実験結果から,設定電圧は設定時間と,ΔV_SETおよび(Δt_set)^-0.5の逆比例関係にあることが分かった。この結果を用いて,正確にRAMを制御する電圧と時間を割り振ることができる。さらに,スイッチング機構は,スイッチングエネルギーが一定に保たれることの決定を通してレドックス反応をしていることを示した。

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半導体集積回路 , 金属-絶縁体-半導体構造

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Pt/CoSiOX/TiN構造をもつRRAM素子における酸化還元反応スイッチング機構

Pt/CoSiO_X/TiN構造をもつRRAM素子における酸化還元反応スイッチング機構