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J-GLOBAL ID：201102227688860053   整理番号：11A1301717

非融解エキシマレーザアニーリングによる浅いp⁺/n接合の形成時のシリコン中でのホウ素の拡散挙動

Boron diffusion behavior in silicon during shallow p⁺/n junction formation by non-melt excimer laser annealing

著者 (3件)： AID Siti Rahmah (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  MATSUMOTO Satoru (Keio Univ., Kanagawa, JPN) ,  FUSE Genshu (SEN Corp., Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 208  号： 7  ページ： 1646-1651  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10秒間の急速熱アニーリング(RTA)を含んだ事前アニーリングと,その後に引き続いて行われるナノ秒非融解レーザアニーリング(NLA)とともに,Ge事前非晶質化イオン注入(Ge-PAI)を用いる事による,浅いp⁺/n接合の形成について報告し,これらのアニーリング工程中のホウ素拡散の挙動について議論する。ホウ素の異常拡散が,接合深さを増加させるGe-PAI,低エネルギーホウ素注入,RTA,およびNLAとの組み合せで生じた事を見い出した。この現象はNLA時の格子間原子の過飽和ゆえに生じると考えられる。{311}あるいは環状欠陥よりもむしろ小さな自己格子間原子クラスタがたぶん形成される。

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,  *ホウ素 ,  イオン注入 ,  エキシマレーザ ,  *PN接合 ,  ケイ素 ,  *異常拡散 ,  不純物拡散 ,  ドーピング ,  固体内拡散

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 融解 ,  エキシマレーザ ,  アニーリング ,  シリコン ,  ホウ素 ,  拡散 ,  挙動