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J-GLOBAL ID：201102227971117758   整理番号：11A1514605

有機金属化学蒸着における新奇な同時ドーピング法による高濃度正孔キャリアの実現

High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor deposition

著者 (4件)： AOYAGI Yoshinobu (Ritsumeikan Univ., Ritsumeikan Global Innovation Res. Organization, 1-1-1, Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Ritsumeikan Univ., Ritsumeikan Global Innovation Res. Organization, 1-1-1, Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN) ,  IWAI Sohachi (Riken Inst., 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 561-0190, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (Riken Inst., 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 561-0190, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 11  ページ： 112110  発行年： 2011年09月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着における新奇な同時ドーピング法によって,Al_xGa_1-xN(x=0.4)に6×10¹⁸/cm³,そしてGaNには2×10¹⁹/cm³に至る高濃度の正孔キャリアを室温で導入することができた。この技術によって,p-チャネルを持つ高電子移動度トランジスタのようなp-チャネル電子素子や深紫外線発光ダイオードのような縦方向電流フロー型素子を作製する新しい道が開けてきた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *ドーピング ,  正孔 ,  キャリア密度 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  MOSFET ,  *発光ダイオード ,  有機マグネシウム化合物 ,  前駆体
準シソーラス用語： pチャネルMOSFET ,  共ドーピング ,  *深紫外発光ダイオード ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属化学蒸着 ,  同時ドーピング ,  高濃度 ,  正孔 ,  キャリア