文献

J-GLOBAL ID：201102229127701374   整理番号：11A0467012

高誘電率誘電体スタックを有するpMOSおよびnMOS短チャネルトレンジスタのチャネルホットキャリア劣化

Channel hot-carrier degradation in pMOS and nMOS short channel transistors with high-k dielectric stack

著者 (7件)： KAUERAUF T. (IMEC, Leuven, BEL) ,  DEGRAEVE R. (IMEC, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN G. (IMEC, Leuven, BEL) ,  AMAT E. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Bellaterra, ESP) ,  RODRIGUEZ R. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Bellaterra, ESP) ,  NAFRIA M. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Bellaterra, ESP) ,  AYMERICH X. (Univ. Autonoma de Barcelona (UAB), Bellaterra, ESP)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 1  ページ： 47-50  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高誘電率 ,  誘電体 ,  スタック ,  PMOS ,  NMOS ,  短チャネル ,  チャネル ,  ホットキャリア