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J-GLOBAL ID:201102229214862821   整理番号:11A1335898

改良型微分干渉コントラスト顕微鏡による超平坦Si(100)面上の単一原子ステップの可視化

Visualization of Single Atomic Steps on An Ultra-Flat Si(100) Surface by Advanced Differential Interference Contrast Microscopy
著者 (11件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: H351-H353  発行年: 2011年 
JST資料番号: W1290A  ISSN: 1099-0062  CODEN: ESLEF6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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レーザ共焦点顕微鏡と改良型微分干渉コントラスト顕微鏡を組合せて空気中でSi(100)面上の高さ0.14nmの単一原子ステップを検知した。この方法は数秒以内,100μm2以上の広い範囲でイメージを得ることができる。電解質溶液中でも単一原子ステップが可視化でき,Si面上の化学的及び電気化学的エッチングの動的過程の観察に応用できる。
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の表面構造  ,  無機化合物一般及び元素  ,  物理化学一般その他 

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