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J-GLOBAL ID：201102230134969534   整理番号：11A0168757

テルル化ビスマスアンチモンの多孔性薄膜の性能指数の増強

Enhanced figure of merit of a porous thin film of bismuth antimony telluride

著者 (7件)： KASHIWAGI Makoto (Life BEANS Center Kyushu, BEANS Lab., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  HIRATA Shuzo (Center for Organic Photonics and Electronics Res. (OPERA) and Center for Future Chemistry, Kyushu Univ., 744 Motooka ...) ,  HARADA Kentaro (Life BEANS Center Kyushu, BEANS Lab., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  ZHENG Yanqiong (Life BEANS Center Kyushu, BEANS Lab., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  MIYAZAKI Koji (Life BEANS Center Kyushu, BEANS Lab., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  YAHIRO Masayuki (Life BEANS Center Kyushu, BEANS Lab., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN) ,  ADACHI Chihaya (Life BEANS Center Kyushu, BEANS Lab., 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 2  ページ： 023114  発行年： 2011年01月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で性能指数1.8のBi0.4Te3Sb1.6の多孔性薄膜は,平均直径20nmの六角形に配列し,平均距離50nm離れたナノポアを含んで,アルミナ基板上にフラッシュ蒸発によって製造された。熱伝導率は,電気伝導率(398S/cm)又はSeebeck係数(198μV/K)の大きな減少なしに0.25W/(m・K)と標準のBi0.4Te3Sb1.6フィルムと比較して著しく減少した。熱伝導率の減少は,フィルム中のフォノンの平均自由行程の全分布のモデルを用いて合理的に説明された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： アンチモン化合物 ,  *テルル化物 ,  ビスマス化合物 ,  *膜 ,  六角形 ,  フラッシュ蒸発 ,  熱伝導率 ,  電気伝導率 ,  輸送係数 ,  電気特性 ,  *熱電効果 ,  多孔質体 ,  フォノン ,  *性能指数
準シソーラス用語： テルル化ビスマスアンチモン ,  *多孔質膜 ,  Seebeck係数 ,  熱電気特性

分類 (2件)： 非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： テルル化ビスマスアンチモン ,  多孔性 ,  薄膜 ,  性能指数 ,  増強