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J-GLOBAL ID：201102231581193167   整理番号：11A1375235

カルコゲン過飽和珪素フォトダイオードの拡大した赤外線応答と利得

Extended infrared photoresponse and gain in chalcogen-supersaturated silicon photodiodes

著者 (7件)： SAID Aurore J. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  RECHT Daniel (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA) ,  SULLIVAN Joseph T. (Dep. of Mechanical Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  WARRENDER Jeffrey M. (ARDEC, Benet Laboratories, Watervliet Arsenal, New York 12189, USA) ,  BUONASSISI Tonio (Dep. of Mechanical Engineering, Massachusetts Inst. of Technol., Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  PERSANS Peter D. (Dep. of Physics and Astronomy, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA) ,  AZIZ Michael J. (Harvard School of Engineering and Applied Sciences, Cambridge, Massachusetts 02138, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 7  ページ： 073503  発行年： 2011年08月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 珪素中のセレンと硫黄の高過飽和固溶体をイオン注入とそれ続くナノ秒パルスレーザ融解により形成した。これらの材料から作製したn⁺pフォトダイオードは12Vの逆バイアスで利得(外部量子効率>3000%)と1250nmの長波長光に対する実質的光電子応答を示した。利得の量と拡大した応答の強度は何れもバイアス電圧の低下とともに減少したが,2Vの逆バイアスでも>100%の外部量子効率が観測された。この挙動はアバランシェ利得や光伝導利得に対する筆者らの予測とは一致しない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *過飽和固溶体 ,  イオン注入 ,  レーザ融解 ,  量子効率 ,  応答 ,  電圧 ,  バイアス ,  光伝導 ,  赤外線 ,  *赤外検出器
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  外部量子効率 ,  逆バイアス ,  光電子応答

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： カルコゲン ,  過飽和 ,  珪素 ,  フォトダイオード ,  拡大 ,  赤外線 ,  応答 ,  利得