硬X線光電子分光法により調べたEuPd<sub>2</sub>Si<sub>2</sub>の温度誘起価電子遷移

MIMURA Kojiro; UOZUMI Takayuki; ISHIZU Takahiko; MOTONAMI Satoru; SATO Hitoshi; UTSUMI Yuki; UEDA Shigenori; MITSUDA Akihiro; SHIMADA Kenya; TAGUCHI Yukihiro; YAMASHITA Yoshiyuki; YOSHIKAWA Hideki; NAMATAME Hirofumi; TANIGUCHI Masaki; KOBAYASHI Keisuke

文献

J-GLOBAL ID：201102231660770013 整理番号：11A0981003

硬X線光電子分光法により調べたEuPd₂Si₂の温度誘起価電子遷移

Temperature-Induced Valence Transition of EuPd₂Si₂ Studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

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著者 (15件)： , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 50 号： 5,Issue 3 ページ： 05FD03.1-05FD03.2 発行年： 2011年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

EuPd₂Si₂の電子構造を硬X線光電子分光法(HX-PES)により300~20Kで調べた。温度依存HX-PESスペクトルは価電子遷移を明白に示し,二価と三価のEu 3d成分の強度が突然変化した。Eu 3dスペクトル形状の変化,特に三価Eu 3dパターンの温度による変化,はAnderson模型の枠組で説明できる。Pd 3d内殻準位の温度によるピーク偏移は,Pdの価電子がEuPd₂Si₂の温度誘起価電子遷移に寄与することを示唆した。(翻訳著者抄録)

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電子分光スペクトル

引用文献 (10件)：

1) E.V. Sampathkumaran, L.C. Gupta, R. Vijayaraghavan, K.V. Gopalakrishnan, R.G. Pillay, and H.G. Devare: J. Phys. C 14 (1981) L237
2) E. Kemly, M. Groft, V. Murgai, L.C. Gupta, C. Godart, R.D. Parks, and C.U. Segre: J. Magn. Magn. Mater. 47-48 (1985) 403.
3) G. Wortmann, K.H. Prank, E.V. Sampathkumaran, B. Perscheid, G. Schmiester, and G. Kaindl: J. Magn. Magn. Mater. 49 (1985) 325.
4) H. Wada, A. Mitsuda, M. Shiga, H. Aruga Katori, and T. Goto. J. Phys. Soc. Jpn. 65 (1996) 3471.
5) A. Mitsuda, H. Wada, M. Shiga, H. Aruga Katori, and T. Goto: Phys. Rev. B 55 (1997) 12474.

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