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J-GLOBAL ID：201102231685598525   整理番号：11A1159865

炭化ケイ素ベースパワー素子

Silicon Carbide Based Power Devices

著者 (2件)： OESTLING Mikael (KTH Royal Inst. Technol., Kista, SWE) ,  OESTLING Mikael (TranSiC AB)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 316-319  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在有る,あるいはまもなく市場に現れる,有望な炭化ケイ素ベースパワー素子に関する技術の現状を述べた。炭化ケイ素パワー素子は,市場でのその量を急激に増大しつつある。Schottky障壁ダイオードは,力率補正回路,光起電力インバータ,及び電力供給に大量に使用されている。最近のJFET,MOSFET,及びBJTの出現は,能動スイッチ市場を大きく押し出すであろう。4H-SiC素子は,全体に立派に働いているが,その信頼性や性能対コスト能力は,まだ,証明する必要がある。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *スイッチング素子 ,  *接合形トランジスタ ,  *IGBT ,  光起電力 ,  ハイブリッド自動車 ,  電気自動車 ,  六方晶系 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  BJT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 炭化ケイ素 ,  パワー素子