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J-GLOBAL ID：201102231738240873   整理番号：11A1250012

単一”スペーサ成長-スペーサエッチング”工程を用いた1xnmハーフピッチの革新的自己整合3重パターン化

Innovative Self-Aligned Triple Patterning for 1x half pitch using Single “Spacer Deposition-Spacer Etch” step

著者 (13件)： MEBARKI Bencherki (Applied Material, CA) ,  CHEN Hao D (Applied Material, CA) ,  CHEN Yongmei (Applied Material, CA) ,  WANG Aunchan (Applied Material, CA) ,  LIANG Jingmei (Applied Material, CA) ,  SAPRE Kedar (Applied Material, CA) ,  MANDREKAR Tushar (Applied Material, CA) ,  CHEN Xiaolin (Applied Material, CA) ,  XU Ping (Applied Material, CA) ,  BLANKO Pokhui (Applied Material, CA) ,  NGAI Christopher (Applied Material, CA) ,  BENCHER Chris (Applied Material, CA) ,  NAIK Mehul (Applied Material, CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7973  号： Pt.1  ページ： 79730G.1-79730G.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スペーサに基づく自己整合3重パターン化(SATP)により,15nmハーフピッチを得るための新方法を実現することに成功した。この新方法は,浸漬型リソグラフィを用いて,15nmハーフピッチを得るために単一スペーサ成長とエッチング工程を用いた。30nmハーフピッチを分解可能な遠紫外線(EUV)能力を用いて,10nmハーフピッチを達成するのにこの方法を拡張可能である。この新SATP方法は,従来の自己整合4重パターン化(SAQP)と比較して,プロセス工程数が少ない。このSATP方法は,従来のSATPまたはSAQPより,優れた限界長(CD)制御を有するため,大プロセス窓を有した。新SATP方法は,フロントエンド工程(FEOL)浅トレンチ分離(STI)応用用に用いたが,low-k(低誘電率)と金属ハードマスクとを組み合せたビアラスト方法を必要とする先端論理バックエンド工程(BEOL)応用用にも適用可能である。

シソーラス用語： *自己整合 ,  *回路パターン形成 ,  *ピッチ【機械要素】 ,  *スペーサ ,  *エッチング ,  フォトリソグラフィー ,  寸法精度 ,  トレンチカット【加工】 ,  アンダカット ,  *化学蒸着 ,  表面粗さ ,  半導体プロセス ,  アイソレーション【IC】
準シソーラス用語： BEOL ,  FCVD ,  SATP ,  STI【アイソレーション】 ,  ハーフピッチ ,  液浸リソグラフィー ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： スペーサ ,  成長 ,  ハーフピッチ ,  自己整合 ,  3重 ,  パターン化