KOEHLER K. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
MUELLER S. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
WALTEREIT P. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
PLETSCHEN W. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
POLYAKOV V. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
KIRSTE L. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
MENNER H. P. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
BRUECKNER P. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
AMBACHER O. について
Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU について
BUCHHEIM C. について
Technische Universitaet Ilmenau, Inst. fuer Mikro- und Nanotechnologien, PF 100565, 98684 Ilmenau, DEU について
GOLDHAHN R. について
Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU について
Journal of Applied Physics について
ヘテロ接合 について
化合物半導体 について
窒化ガリウム について
ドーピング について
アルミニウム について
置換型固溶体 について
キャリア密度 について
MOCVD について
HEMT について
保護膜 について
被覆層 について
容量電圧特性 について
Hall効果 について
濃度依存性 について
電圧 について
表面電位 について
モデル について
光反射 について
反射スペクトル について
Schottky障壁 について
半導体金属接合 について
Schroedinger-Poisson方程式 について
キャップ層 について
ショットキー接合 について
障壁層 について
閾値電圧 について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
トランジスタ について
Al について
含量 について
GaN について
ヘテロ構造 について
電気特性 について