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J-GLOBAL ID：201102231994749970   整理番号：11A0637678

低Al含量のAl^xGa^1-xN/GaNヘテロ構造の電気特性

Electrical properties of Al^xGa^1-xN/GaN heterostructures with low Al content

著者 (12件)： KOEHLER K. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  MUELLER S. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  WALTEREIT P. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  PLETSCHEN W. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  POLYAKOV V. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  LIM T. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  KIRSTE L. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  MENNER H. P. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  BRUECKNER P. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  AMBACHER O. (Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  BUCHHEIM C. (Technische Universitaet Ilmenau, Inst. fuer Mikro- und Nanotechnologien, PF 100565, 98684 Ilmenau, DEU) ,  GOLDHAHN R. (Inst. fuer Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitaet, Universitaetsplatz 2, 39106 Magdeburg, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 5  ページ： 053705  発行年： 2011年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al含量が15%以下でキャリア密度が僅かに1.0×10₁₂cm_-2のAl^xGa^1-xN/GaNヘテロ構造の電気特性を,Hall効果測定と容量-電圧プロファイル測定とによって調べた。名目上無添加のGaNキャップ付き構造を,低圧での有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によって成長させた。トランジスタ素子の閾値電圧は,高Al含有構造に対してすでに見出されている傾向,つまり,Al含量に依存しない表面電位を示すモデルで記述できる傾向に従った。光反射スペクトロスコピーは,成長させたままのヘテロ構造に対する結果を確認した。しかし,成長させたままの試料について測定したHall効果は,分極および一定表面電位の効果から期待されるよりも顕著なキャリア密度減少を示した。対照的に,Ni Schottky接触を有する試料について決定したHall効果データと,成長させたままの試料についての容量-電圧プロファルとは,表面電位がそれぞれ0.86eVおよび0.94eVと,予期どおりの挙動を示した。この不一致は,成長させたままの試料についてのHall効果の結果を,二キャリアモデルで記述することにより消去できた。自己無撞着Schroedinger-Poisson計算は,Al^xGa^1-xN/GaN界面での転移領域を考慮すれば,上記考察を支持することを記した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  置換型固溶体 ,  キャリア密度 ,  MOCVD ,  *HEMT ,  保護膜 ,  被覆層 ,  *容量電圧特性 ,  *Hall効果 ,  濃度依存性 ,  電圧 ,  表面電位 ,  モデル ,  光反射 ,  反射スペクトル ,  Schottky障壁 ,  半導体金属接合
準シソーラス用語： Schroedinger-Poisson方程式 ,  キャップ層 ,  ショットキー接合 ,  障壁層 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  含量 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電気特性