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J-GLOBAL ID：201102232076389207   整理番号：11A1442253

Si(111)上に成長した高品質InAsおよびGaSb薄膜

High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si (111)

著者 (5件)： GORJI GHALAMESTANI Sepideh (Solid State Physics Lund Univ., Box 118, SE-22100 Lund, SWE) ,  BERG Martin (Electrical and Information Technologies, Box 118, SE-22100 Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Solid State Physics Lund Univ., Box 118, SE-22100 Lund, SWE) ,  DICK Kimberly A. (Polymer and Materials Chemistry, Lund Univ., Box 124, SE-22100 Lund, SWE) ,  WERNERSSON Lars-erik (Electrical and Information Technologies, Box 118, SE-22100 Lund, SWE)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 332  号： 1  ページ： 12-16  発行年： 2011年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上に,有機金属気相エピタキシーによるInAsの薄いエピタキシャル層の成長,および続いてInAs上に成長されたGaSb層の成長が研究された。さらに,核形成段階とまた下層GaSb層上に核形成されたGaSbナノワイヤーについての成長温度と材料ガス流量の効果が研究された。InAs層は標準2段階成長法によって成長された。研究における主なパラメータは核形成層より成長プロセスへの取り込み効果である。多くの核形成層の追加は明らかに表面形態および結果としてのInAs層質と関係している。形態および構造特性は,完全なInAs層は4核形成層の取り込みによって達成されることを明らかにする。250nm厚と0.4nmの原子層ステップを有する堆積層は2400cm²/Vsの移動度と2.7×10¹⁸ cm^-3のキャリアー濃度を持つ。さらに,~300nmの薄膜のために,GaSb膜が成長するInAs膜と観察された原子ステップ粗さを利用した。最後に,GaSb層上のGaSbナノワイヤーの成長が実証された。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  ナノワイヤ ,  温度 ,  流量 ,  取込 ,  移動度 ,  キャリア密度 ,  *薄膜 ,  *ウエハ【IC】 ,  MOCVD ,  核形成 ,  ガス流量 ,  成長温度 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  プロセス ,  有機金属気相エピタキシー

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  成長 ,  高品質 ,  InAs ,  GaSb ,  薄膜