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J-GLOBAL ID：201102232406623562   整理番号：11A0842274

超微細Cu配線の微細構造と抵抗率に及ぼす硫酸銅純度の影響

Effect of the Purity of the Copper Sulfate on the Microstructure and Resistivity of Very Narrow Cu Wires

著者 (3件)： 田代優 (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  KHOO Khyoupin (茨城大学工学部マテリアル工学科) ,  大貫仁 (茨城大学工学部マテリアル工学科)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 75  号： 4  ページ： 223-228 (J-STAGE)  発行年： 2011年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Cuは高性能集積回路(ULSI)の配線材料として用いられているが,配線幅が100nm以下の領域において電気抵抗率が著しく増大する問題が顕在化している。この原因は,Cu結晶粒の微細化に起因しており,Cu配線の電気抵抗率の低下には配線中の結晶粒の均一・粗大化が必要不可欠である。本研究では,公称純度6Nと3Nの純度の異なる硫酸銅と公称純度4Nの含燐銅陽極を用いて微細Cu配線を形成し,配線の抵抗率に及ぼす硫酸銅の純度の影響について検討した。6Nと3NプロセスのCu配線の抵抗率の差は線幅の減少と共に大きくなり,50nm配線では17%に達した。6NプロセスCu配線では50nm以下の結晶粒の存在比が少なく,これが,低抵抗率配線が得られる主原因と考えられた。

シソーラス用語： *銅 ,  高純度金属 ,  配線 ,  電気材料 ,  超LSI ,  幅 ,  *金属組織 ,  結晶粒度 ,  粒度依存性 ,  結晶粒粗大化 ,  *電気的性質 ,  電気抵抗率 ,  電気めっき ,  めっき液 ,  硫酸銅 ,  粒度分布 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  濃度分布 ,  不純物
準シソーラス用語： 銅配線 ,  配線材料 ,  配線幅 ,  ミクロ組織【金属組織】 ,  粒界散乱

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  電気的性質  (WB02010Y)

引用文献 (14件)：

• 1) K. Hinode, Y. Hanaoka, K. Takeda and S. Kondo: Jpn. J. Appl. Phys., Part2 40(2001) L1097.
• 2) W. Steinhögl, G. Schindler, G. Steinlesberger and M. Engelhardt: Phys. Rev. B 66(2002) 075414.
• 3) W. Wu, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Appl. Phys. Lett. 84(2004) 2838.
• 4) The International Technology Roadmap for Semiconductors, (ITRS, 2005).
• 5) W. Wu, D. Ermur, S. H. Brongersma, M. Van Hove and K. Maex: Microelectron. Eng. 76(2004) 190.

タイトルに関連する用語 (6件)： 超微細 ,  Cu配線 ,  微細構造 ,  抵抗率 ,  硫酸銅 ,  純度