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J-GLOBAL ID：201102232677230701   整理番号：11A0005075

ヒステリシス性強誘電体トンネルFET

The Hysteretic Ferroelectric Tunnel FET

著者 (6件)： IONESCU Adrian M. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  LATTANZIO Livio (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  SALVATORE Giovanni A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  DE MICHIELIS Luca (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  BOUCART Kathy (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  BOUVET Didier (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 12  ページ： 3518-3524  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電力メモリ応用用候補としての新素子概念,即ち,強誘電体トンネル電界効果型トランジスタ(Fe-TFET),を作製し,その電気特性を評価し,室温と超低温でその挙動を実験により示した。この新規のヒステリシス性スイッチファミリーは,バンド間トンネリング素子の低サブしきい値電力とp型Feゲート積層を組み合せた。低温処理したSiO₂/Al₂O₃/ポリ(ビニリデンフルオライド)(PVDF)ゲート積層を用いて,極薄膜(完全空乏化)シリコン-オン-絶縁膜(SOI)基板上に作製した,マイクロメートルスケールFe-TFETは,10⁵以上のオン/オフ電流比(I_on/I_off)と100fA/μmオーダのI_offを得た。その伝達と出力静的特性を解析し,基準の金属-酸化膜-半導体FET(MOSFET)(ゲート動作p-i-n)トランジスタと比較することにより,Fe-TFETのバンド間トンネリングとゲート/ドレイン電圧によるトンネリングの制御により生じる特性差を解明した。最小77Kでの低温測定により,Fe-TFETのサブしきい値振幅(SS)の温度に対する感度を低減した。1トランジスタ(1T)メモリセルとしてのFE-TFET素子の動作可能性について調べ,実験により,最大1分の適正なヒステリシスと保持時間を確認した。誘電積層厚さを薄化し,高品質Fe膜を用いることにより,Fe-TFET特性(低動作電圧,SSの改善と高I_on)をさらに改善することができた。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *トンネル効果 ,  ヒステリシス ,  *強誘電体 ,  *スイッチ ,  ゲート【半導体】 ,  積層構造 ,  *記憶素子 ,  P型半導体 ,  超薄膜 ,  SOI構造 ,  基板 ,  ポリフッ化ビニリデン ,  低温 ,  数値解析 ,  シミュレーション ,  *保持時間 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 強誘電体FET ,  ナノスイッチ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヒステリシス性 ,  強誘電体 ,  トンネルFET