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J-GLOBAL ID：201102233224786160   整理番号：11A0791126

c面サファイア基板上に成長させた多結晶炭化ケイ素の熱分解で形成した多層エピタキシャルグラフェン

Multilayer epitaxial graphene formed by pyrolysis of polycrystalline silicon-carbide grown on c-plane sapphire substrates

著者 (9件)： MCARDLE Timothy J. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  CHU Jack O. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  ZHU Yu (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  LIU Zihong (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  KRISHNAN Mahadevaiyer (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  BRESLIN Christopher M. (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  DIMITRAKOPOULOS Christos (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  WISNIEFF Robert (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  GRILL Alfred (IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 98  号： 13  ページ： 132108  発行年： 2011年03月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,超高真空化学蒸着を用いて多結晶炭化ケイ素(SiC)をc面サファイア ウエハ上に成長させ,次にそれを,真空中で1250~1450°Cでアニールして,エピタキシャル多層グラフェン(MLG)を生成した。この多結晶SiCの表面粗さと小さい分域サイズにもかかわらず,共形MLG薄膜を形成できた。グラフェン成長に先立ってSiCの平滑化を行うことにより,最終的なMLGにおいて,Raman欠陥バンドの減少を観測した。研磨したSiC薄膜上に形成したグラフェンも,規則化がさらに有意な層毎成長を示し,非研磨試料と同じキャリア密度に対して,キャリア移動度の増大を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 単一層 ,  *多層 ,  *エピタクシー ,  熱分解 ,  *炭化ケイ素 ,  多結晶 ,  基板 ,  サファイア ,  結晶方位 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  低速電子回折 ,  Ramanスペクトル ,  表面粗さ ,  超高真空 ,  グラフェン ,  鉱石 ,  宝石

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア基板 ,  成長 ,  多結晶 ,  炭化ケイ素 ,  熱分解 ,  多層 ,  エピタキシャルグラフェン