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J-GLOBAL ID：201102233556583247   整理番号：11A0467086

極低誘電率(k=2.3)多孔性SiOCHによる32nmノードBEOL集積

32 nm node BEOL integration with an extreme low-k porous SiOCH dielectric k=2.3

著者 (21件)： HAMIOUD K. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ARNAL V. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FARCY A. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  MANAKLI S. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  IMBERT G. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GALPIN D. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  MONGET C. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GUILLAN J. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CHHUN S. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  RICHARD E. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HAOND M. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  JOUSSEAUME V. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  ZENASNI A. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  ICARD B. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  PRADELLES J. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  BRUN PH. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  JAYET C. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  ASSOUS M. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  MAITREJEAN S. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  HAMIOUD K. (Lyon Inst. of Nanotechnology, Villeurbanne, FRA) ,  BARBIER D. (Lyon Inst. of Nanotechnology, Villeurbanne, FRA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 87  号： 3  ページ： 316-320  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低誘電率 ,  多孔性 ,  32nmノード ,  BEOL ,  集積