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J-GLOBAL ID:201102234402689715   整理番号:11A1389346

低圧化学気相成長によって準備された高シリコン含有量を有するシリコンリッチな酸化物の多層配列の光ルミネセンスについて

On the photoluminescence of multilayer arrays of silicon rich oxide with high silicon content prepared by low pressure chemical vapor deposition
著者 (6件):
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巻: 519  号: 22  ページ: 8030-8036  発行年: 2011年09月01日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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低圧化学気相成長によって得られた,高いシリコン含有量を有するシリコンリッチな酸化物の層および低いシリコン含有量を有するシリコンリッチな酸化物の層から成る多層構造の光ルミネセンス発光がここに発表される。多層膜の準備のための異なったパラメータは,Si濃度および層の厚さのように変えられた。加えて,サンプルは,異なる温度で酸化された。すべてのサンプルに対して,光ルミネセンスは,同じ起源を持っているように見えた:酸化物マトリックスの欠陥およびSiナノ結晶間の境界の欠陥。多層構造の構造的および組成的特性が議論される。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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無機化合物のルミネセンス  ,  酸化物薄膜 

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