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J-GLOBAL ID：201102234930629465   整理番号：11A0825285

分極接合の概念を用いたGaNを基本にした超ヘテロ接合FET

GaN-Based Super Heterojunction Field Effect Transistors Using the Polarization Junction Concept

著者 (5件)： NAKAJIMA Akira (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  SUMIDA Yasunobu (POWDEC K.K., Tochigi, JPN) ,  DHYANI Mahesh H. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  KAWAI Hiroji (POWDEC K.K., Tochigi, JPN) ,  SANKARA NARAYANAN E. M. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 4  ページ： 542-544  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNを基本にした電力素子が注目されている。特に,ヘテロ接合FET(HFET)には,低電力損と高性能スイッチングが期待される。分極接合(PJ)と高電界強度を組み合せると,GaN素子は,ほぼ理想的な将来の電力素子になる可能性が高い。PJ接合概念に基づくスーパHFETを初めて示した。スーパHFETは,GaN/AlGaN/GaNヘテロ界面で正および負の分極電荷により誘起される二次元の電子ガスおよび正孔ガスの電荷をもつ。スーパHFETは,サファイア基板上に作製した。測定の結果,破壊電圧が1.1kV以上,固有オン抵抗が6.1mΩ・cm²であった。固有オン抵抗の値は従来のフィールドプレート技術によるHFETと同程度であるが,素子構造を最適化することで,さらなる改良が期待できる。PJ GaN素子はGaNの材料限界を超えた超低電力損失電力素子として期待できる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ヘテロ接合 ,  *窒化ガリウム ,  基板 ,  *アルミニウム化合物 ,  分極 ,  二次元電子ガス ,  電圧 ,  半導体素子
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *HFET ,  サファイア基板 ,  二次元正孔ガス ,  電力素子 ,  破壊電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分極 ,  概念 ,  GaN ,  ヘテロ接合FET