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J-GLOBAL ID:201102235928862302   整理番号:11A0172101

溶液析出したVO2膜に及ぼすTiO2緩衝層の影響:増強した耐酸化性

Effects of a TiO2 Buffer Layer on Solution-Deposited VO2 Films: Enhanced Oxidization Durability
著者 (8件):
資料名:
巻: 114  号: 50  ページ: 22214-22220  発行年: 2010年12月23日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ルチル二酸化チタン(R相TiO2)緩衝層を有する石英ガラス基板と有しない基板上に,VO2を溶液成長させ耐酸化性を増強した。TiO2(空間群P42/mnm)とR相VO2の結晶構造の類似性のため,TiO2緩衝層は,VO2の結晶性の誘起と気相蒸着法の蒸着温度低下を期待できた。漸進的酸化過程の薄膜の微細構造および組成の進化を調べた。緩衝層を有しない基板上の膜では,酸化処理はVO2をV2O5へ変換した。緩衝層を有する基板上の膜では,とくにVO2/TiO2界面近傍で,酸化が大きく抑制した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
抵抗性  ,  半導体薄膜  ,  塩基,金属酸化物 

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