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J-GLOBAL ID：201102235963148116   整理番号：11A1485942

交流半導体と磁気活性化ナノ層のδトポロジー帯の挿入構造および磁場と電場におけるそれらのインピーダンスの挙動

Intercalated structures with a δ topological zone of alternating semiconductors and magnetoactive nanolayers and behavior of their impedance in magnetic and electric fields

著者 (3件)： POKLADOK N. T. (National Univ. L’vov Polytechnic, 79013, L’vov, UKR) ,  GRIGORCHAK I. I. (National Univ. L’vov Polytechnic, 79013, L’vov, UKR) ,  BUZHUK Ya. M. (Ivan Franko L’vov National Univ., 79000, L’vov, UKR)
資料名： Technical Physics  (Technical Physics)
巻： 55  号： 2  ページ： 236-241  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： E0952A  ISSN： 1063-7842  CODEN： TEPHEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 交流 ,  磁気 ,  活性化 ,  ナノ層 ,  トポロジー ,  磁場 ,  電場 ,  インピーダンス ,  挙動