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J-GLOBAL ID：201102235989171914   整理番号：11A1159806

バイアス温度不安定性解明の最近の進展

Recent Advances in Understanding the Bias Temperature Instability

著者 (11件)： GRASSER T. (TU Wien, AUT) ,  KACZER B. (IMEC, Leuven, BEL) ,  GOES W. (TU Wien, AUT) ,  REISINGER H. (Infineon, Munich, DEU) ,  AICHINGER Th. (KAI, Villach, AUT) ,  HEHENBERGER Ph. (TU Wien, AUT) ,  WAGNER P.-J. (TU Wien, AUT) ,  SCHANOVSKY F. (TU Wien, AUT) ,  FRANCO J. (IMEC, Leuven, BEL) ,  ROUSSEL Ph. (IMEC, Leuven, BEL) ,  NELHIEBEL M. (Infineon, Villach, AUT)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 82-85  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイアス温度不安定性(BTI)に関する最初の論文に,劣化の最も可能性がある原因として界面準位の生起とともに酸化膜欠陥内電荷捕獲が既に報告されたが,電荷捕獲の役割は,NBTIの説明での反応-拡散(RD)理論の成功により完全に隠されてしまった。バイアス温度不安定性(BTI)の理解は測定に関係した不一致により悩まされてきた。BTIに関する初期論文でも,回復の存在を認め,検討されたが,これは,理由不明のため最近までこの現象について考えるのに用いた方法に殆ど影響がなかった。回復の再発見後でも,今までに思いついた全測定方法が,測定すると想定される回復を加速する劣化を妨害することが充分認識されるまで数年を要した。それにもかかわらず。この実験の困難性により,研究者がその問題について詳細に熟考し,新アイデアへの糸口を開いた。実験データとともにこれらのアイデアのいくつかについて概観した。最小1ksまでのBTIは,既存欠陥と基板間の非弾性電荷交換により支配され,ランダム電信雑音(RTN)とBTIの回復可能成分は,準平衡であるRTNと非平衡応答であるBTIにおいて同一欠陥により生じることを示した。また,小面積素子の場合,電荷交換の確率的性質により,寿命を確率変数とすることができた。全素子は異なる欠陥分布を有するため,時定数の分布の正確な知識を得ることが必要である。欠陥モデルの簡単化版を用いた,以前提案した2段階NBTIモデルを,不可欠な数NBTIベンチマークについて評価した。正バイアスパルスまたは温度の瞬間切換え後の回復の加速,緩和とストレス間で非対称である実験観測による挙動を完全に再現した。

シソーラス用語： *バイアス ,  *熱安定性 ,  電圧 ,  *MOS構造 ,  *酸化膜 ,  *格子欠陥 ,  *キャリア捕獲 ,  電荷 ,  不規則雑音 ,  電波雑音 ,  反応拡散系 ,  ベンチマーク ,  MOSFET
準シソーラス用語： BTI ,  電荷捕獲

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： バイアス温度不安定性 ,  進展