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J-GLOBAL ID：201102237327780808   整理番号：11A1249781

半導体素子のナノインプリントリソグラフィーと将来のパターニング革新

Nanoimprint Lithography for Semiconductor Devices and Future Patterning Innovation

著者 (3件)： HIGASHIKI Tatsuhiko (TOSHIBA Corp., Yokohama City, JPN) ,  NAGASUGI Tetsuro (TOSHIBA Corp., Yokohama City, JPN) ,  YONEDA Ikuo (TOSHIBA Corp., Yokohama City, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7970  ページ： 797003.1-797003.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記憶容量に対する人類の要求はとどまるところを知らず,記憶素子は常に価格低下を求められている。パターン縮小は,一バイト当たりのコスト低減および多重量子技術と3Dタイプメモリを実現するための一つの記憶素子戦略である。リソグラフィーへのパターン縮小要求は将来も続くであろう。ナノインプリントリソグラフィー(NIL)は低価格リソグラフィー技術として優れた臨界寸法(CD)均一性と線幅粗さ(LWR)により微細分解能力を持っていることが実証されている。ここでは,NILの現状とデスクトップリソグラフィーのような将来のNILパターニング革新について述べた。

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  記憶容量 ,  記憶素子 ,  原価低減 ,  縮小 ,  均一性 ,  表面粗さ ,  分解能
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  線幅粗さ ,  低価格 ,  臨界寸法

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体素子 ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  将来 ,  パターニング