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J-GLOBAL ID：201102237660262369   整理番号：11A1568651

RTN特性を用いたNANDフラッシュセルトラップの新解析方法

A New Approach of NAND Flash Cell Trap Analysis using RTN Characteristics

著者 (14件)： KANG Daewoong (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  LEE Sungbok (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  PARK Hyun-Mog (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  LEE Dong-Jun (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  KIM Jun (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  SEO Junho (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  LEE Chikyoung (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  SONG Cheol (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  LEE Chang-Sub (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ. Dept. of EE, Seoul, KOR) ,  SONG Jaihyuk (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  LEE Haebum (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  CHOI Jeong-Hyuk (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR) ,  JUN Young-Hyun (Samsung Electronics Co., Gyenggi-Do, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011  ページ： 206-207  発行年： 2011年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダム電信雑音(RTN)特性を用いた,NANDフラッシュセルのトラップの新解析方法について述べた。書込みと消去状態に依存した,27nm設計ルールを用いたNANDフラッシュセルアレイと試験構造のRTN特性を測定した。これらの測定結果から,NANDフラッシュセルの活性幅方向に沿ってトラップ特性を解析した。特殊な解析方法を用いて,その新方法の有効性を検証した。これらの結果を諸プロセスによるNANDフラッシュメモリセルに適用することにより,NANDフラッシュセルの活性幅方向に沿ってトラップ特性情報を得ることができた。

シソーラス用語： *不規則雑音 ,  *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  テスト構造 ,  データ書込 ,  データ消去 ,  規則 ,  キャリア捕獲 ,  電流変動
準シソーラス用語： NANDフラッシュ ,  RTN ,  設計規則

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： NANDフラッシュ ,  セル ,  トラップ ,  解析方法