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J-GLOBAL ID：201102238232269231   整理番号：11A0173171

ゾル-ゲルオンチップ過程で形成した低温,高性能溶液法による高性能金属酸化物薄膜トランジスター

Low-temperature, high-performance solution-processed metal oxide thin-film transistors formed by a ‘sol-gel on chip’ process

著者 (7件)： BANGER K. K. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  YAMASHITA Y. (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  MORI K. (Panasonic Europe Ltd., Cambridge, GBR) ,  PETERSON R. L. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  LEEDHAM T. (Multivalent Ltd, Eriswell, GBR) ,  RICKARD J. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SIRRINGHAUS H. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 10  号： 1  ページ： 45-50  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明酸化物半導体によるフレキシブル薄膜トランジスターの作製を考慮すると,高性能デバイスを溶液法により低温で作製することが望まれる。本研究では,スピンコーティングによりInZnO(IZO)およびInGaZnO(IGZO)非晶質薄膜をSiO₂/Si基板上に形成した。In,Zn,Ga前駆体として,それぞれインジウムアルコキシド,亜鉛ビスメトキシエトキシドおよびガリウムトリイソプロポキシドを用いた。ソース,ドレイン電極を形成してTFTを作製後,特性を評価した。その結果,最高プロセス温度が230°C以下で,電界効果移動度10cm²V^-1s^-1および安定なターンオン電圧V_on~0Vが得られた。本方法で,安定に動作するデバイスが作製可能であることを示した。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  製膜 ,  *ゾル-ゲル法 ,  スピンコーティング ,  セラミック膜 ,  化合物半導体 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  ガリウム化合物 ,  酸化物 ,  非晶質 ,  キャリア移動度 ,  電流電圧特性

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル ,  オンチップ ,  過程 ,  低温 ,  高性能 ,  溶液 ,  金属酸化物薄膜 ,  トランジスター