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J-GLOBAL ID：201102238388745254   整理番号：11A1498877

光起電InAs量子ドットを埋め込んだGaAs太陽電池におけるビルトイン電場の影響

Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell

著者 (8件)： SHANG X. J. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, P.O. Box ...) ,  SHANG X. J. (Royal Inst. of Technol., Dep. of Theoretical Chemistry, School of Biotechnology, 106 91, Stockholm, SWE) ,  HE J. F. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, P.O. Box ...) ,  WANG H. L. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, P.O. Box ...) ,  LI M. F. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, P.O. Box ...) ,  ZHU Y. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, P.O. Box ...) ,  NIU Z. C. (Chinese Acad. of Sciences, State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Inst. of Semiconductors, P.O. Box ...) ,  FU Y. (Royal Inst. of Technol., Dep. of Theoretical Chemistry, School of Biotechnology, 106 91, Stockholm, SWE)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 103  号： 2  ページ： 335-341  発行年： 2011年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,3つのp-i-n GaAs太陽電池を作製し,特性を評価した。1つは,欠乏領域に埋め込まれたInAs量子ドット(QD)層(試料A),2つ目はn^-ベース領域に埋め込まれたQD層(試料B),3つ目はQDの無いもの(試料C)である。QDを埋め込んだ太陽電池(試料AとB)は,QD多準位発光による幅広のフォトルミネセンススペクトルを示したが,試料Cよりも低い開放端電圧V_ocと光起電(PV)効率を示した。他方,試料Aの短絡電流密度J_scは増加したが,試料Bのそれは減少した。理論的解析から,QD内のビルトイン電場がゼロの試料B中では,電子はQDを占める傾向があり,QDの周囲には,n^-ベース領域の電子移動度を低下させる強いポテンシャル変化が存在し,その結果,試料B中のJ_scが減少することが分かった。試料B内では,QD中の正孔トラッピングと電子正孔再結合も増強され,その結果,V_ocが低下しPV効果が悪くなった。試料A中では,QDからの光-キャリア抽出を助けJ_scを増す,強いビルトイン電場がQD層内に存在した。しかし,試料A中の欠乏領域内のQDは,再結合生成中心としても働き,その結果,暗飽和電流密度が劇的に増大し,V_ocとPV効果を減少させた。結論として,従来のp-i-n GaAs太陽電池におけるPV効果を増大させるためにQDを用いることにとって,QDの周囲のゼロでないビルトイン電場が有効であることが分かった。Copyright 2010 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光起電力 ,  ヒ化インジウム ,  量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  *太陽電池 ,  化合物半導体 ,  *結晶場 ,  光ルミネセンス ,  電圧 ,  電流密度
準シソーラス用語： *結晶内電場 ,  フォトルミネセンス ,  開放端電圧 ,  短絡電流密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs量子ドット ,  GaAs ,  太陽電池 ,  ビルトイン電場