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J-GLOBAL ID：201102238747575831   整理番号：11A1845142

SOI finFET製造のためのドライエッチング仕上げプロセス:6T-SRAMセル上の32~22nmノードに向けての遷移

Dry etching fin process for SOI finFET manufacturing: Transition from 32 to 22 nm node on a 6T-SRAM cell

著者 (4件)： ALTAMIRANO-SANCHEZ E. (IMEC, Leuven, BEL) ,  PARASCHIV V. (IMEC, Leuven, BEL) ,  DEMAND M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  BOULLART W. (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 88  号： 9  ページ： 2871-2878  発行年： 2011年09月 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： SOI ,  FinFET ,  ドライエッチング ,  仕上げ ,  プロセス ,  SRAM ,  セル ,  ノード ,  遷移