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J-GLOBAL ID：201102239673593596   整理番号：11A0131859

バンド調整した電子遮断層によるInGaN/GaN発光ダイオードの正孔注入と効率低下の改善

Hole injection and efficiency droop improvement in InGaN/GaN light-emitting diodes by band-engineered electron blocking layer

著者 (11件)： WANG C. H. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  KE C. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LEE C. Y. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHANG S. P. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  CHANG W. T. (Dep. of Electro-Physics, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LI J. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LI Z. Y. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  YANG H. C. (R&D Div., Epistar Co. Ltd., Science-based Industrial Park, Hsinchu 300, Taiwan) ,  KUO H. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LU T. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  WANG S. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 26  ページ： 261103  発行年： 2010年12月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面InGaN/GaN発光ダイオード(LED)用に,アルミニウム組成が[0001]方向に沿って増加する傾斜組成電子遮断層(GEBL)を,バンド工学を用いて設計した。シミュレーション結果はこのようなGEBLがEBL全体の電子閉込めと正孔輸送能力を効果的に高め得ることを実証した。結果として,有機金属化学気相成長法により成長させたGEBLを持つLEDは,通常のLEDに比べて低い順電圧と直列抵抗及び遥かに高い出力パワーを,高電流密度において示した。一方,低注入電流における最大値から200A/cm²までの効率低下は通常のLEDの34%から僅か4%に減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *発光ダイオード ,  *エネルギー変換効率 ,  輸送現象 ,  閉込め ,  半導体薄膜 ,  *キャリア注入
準シソーラス用語： *効率低下 ,  正孔輸送 ,  電子閉込め ,  *正孔注入

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： バンド ,  電子 ,  遮断層 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  正孔注入 ,  効率低下