Ni-InGaAs金属ソース/ドレインを有するSi基板上の絶縁体上高性能極薄体InGaAs金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

KIM SangHyeon; YOKOYAMA Masafumi; TAOKA Noriyuki; IIDA Ryo; LEE Sunghoon; NAKANE Ryosho; URABE Yuji; MIYATA Noriyuki; YASUDA Tetsuji; YAMADA Hisashi; FUKUHARA Noboru; HATA Masahiko; TAKENAKA Mitsuru; TAKAGI Shinichi

文献

J-GLOBAL ID：201102239698437920 整理番号：11A1928963

Ni-InGaAs金属ソース/ドレインを有するSi基板上の絶縁体上高性能極薄体InGaAs金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)

High Performance Extremely Thin Body InGaAs-on-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Si Substrates with Ni-InGaAs Metal Source/Drain

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資料名：
巻： 4 号： 11 ページ： 114201.1-114201.3 発行年： 2011年11月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Si基板上の絶縁体上の極薄体MOSFETをNi-InGaAs合金ソース/ドレインを用いて実証した。約1016cm^-3の低ドーピング濃度とインジウム過剰InGaAsチャンネル(In_0.7Ga_0.3As)は,厚みが10nmのチャンネル中でも1700cm²V^-1s^-1の高い移動度を提供することが分かった。これは金属ソース/ドレイン技術と組合せた絶縁体上の極薄体III-V系MOSFETの初めての実証である。また,10⁵を超えるオンオフ電流比を有する優れたドレイン電流-ゲート電圧特性と120mV/decの低いSSを厚み5nmの絶縁体上In_0.7Ga_0.3As)MOSFETで実現した。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (15件)：

TAKAGI, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2008, 55, 21
WU, Y. Q. IEDM Tech. Dig., 2009. 2009, 331
RADOSAVLJEVIC, M. IEDM Tech. Dig., 2010. 2010, 126
DEURA, M. Proc. IEEE Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, 2009. 2009, 48
KO, H. Nature. 2010, 468, 286

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