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J-GLOBAL ID：201102240207442730   整理番号：11A0140702

SiO₂/Si₃N₄二重層ゲート誘電体を持つ高電界効果移動度の底ゲート有機金属化学蒸着ZnO薄膜トランジスタ

High Field-Effect Mobility Bottom-Gated Metallorganic Chemical Vapor Deposition ZnO Thin-Film Transistors with SiO₂/Si₃N₄ Bilayer Gate Dielectric

著者 (4件)： REMASHAN K. (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  CHOI Y. S. (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  PARK S. J. (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  JANG J. H. (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 12  ページ： H1110-H1115  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)薄膜トランジスタ(TFT)は,実際のディスプレイ製造に最も共通に使用されているa-SiとポリSi TFTに比べてその優れた電気特性と高い光透明性から将来のアクティブマトリクスフラットパネルディスプレイの可能な代替素子の一つである。本論では,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)にて作製した二つのゲート絶縁体,Si₃N₄とSiO₂/Si₃N₄二重層積層,を用いたガラス基板上の有機金属化学蒸着(MOCVD)成長ZnO TFTの製作と電気特性を報告した。SiO₂/Si₃N₄二重層ゲート誘電体を用いたTFTは非常に高い電界効果移動度(μ_FE)とオンオフ電流比を示した。

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *窒化ケイ素 ,  多層膜 ,  キャリア移動度 ,  底面 ,  MOCVD ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜トランジスタ ,  表示装置 ,  電気特性 ,  アクティブマトリックス ,  フラットパネルディスプレイ ,  プラズマCVD ,  絶縁材料 ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ガラス基板 ,  ゲート誘電体 ,  スイッチング電流比 ,  電界効果移動度 ,  透明性 ,  二重層

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiO2 ,  Si3N4 ,  二重層 ,  ゲート誘電体 ,  電界効果移動度 ,  ゲート ,  有機金属化学蒸着 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ