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J-GLOBAL ID:201102240477827420   整理番号:11A0005345

次世代太陽電池 環境調和型半導体(CZTS)を用いた非真空プロセスによる太陽電池の開発

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資料名:
巻: 23  号: 11  ページ: 16-20  発行年: 2010年11月01日 
JST資料番号: L0595A  ISSN: 1344-7858  CODEN: MINTFB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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資源問題をも考慮した汎用材料による薄膜型太陽電池であるCZTS(Cu2ZnSnS4)の新たな成膜技術について紹介した。これは,薄膜型太陽電池では使用される材料は元々僅かなので,コストを決定する要因はプロセスコスト(成膜)であることに着目し,より安価な成膜技術の確立を図ったものである。この課題に対して,生産性に課題があり装置価格も高い真空装置を用いない成膜方法を検討し,ゾル-ゲル硫化法を提案した。前駆体をガラス基板上にスピンコートしその後硫化水素+窒素雰囲気中で硫化するものである。作製したCZTS薄膜の性状・特性を示すと共にこの薄膜による太陽電池の作製と電池特性を記した。
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分類 (1件):
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太陽電池 

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