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J-GLOBAL ID：201102240783850703   整理番号：11A1180170

3次元ICチップスタッキングのためのNi/Sn金属間化合物マイクロバンプ結合でのエレクトロマイグレーション(EM)

Electromigration in Ni/Sn Intermetallic Micro Bump Joint for 3D IC Chip Stacking

著者 (9件)： LIN Yu-Min (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  ZHAN Chau-Jie (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  JUANG Jing-Ye (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LAU John H. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Tai-Hong (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LO Robert (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  KAO M. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  TIAN Tian (UCLA, California, USA) ,  TU King-Ning (UCLA, California, USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 61st Vol.1  ページ： 351-357  発行年： 2011年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30μmピッチの無鉛はんだマイクロバンプを用いたチップオンチップのテストビークルで,3次元チップスタッキングのはんだマイクロバンプ配線のEM信頼性を調査した。マイクロバンプは,Cu/Niのバンプ下メタライゼーション(UBM)を用いたSn2.5Agはんだ材料で構成する。2つの配線タイプを採用してEM挙動への結合構造の影響を評価した結果,次の5点がわかった。1)熱アニーリングしたマイクロはんだ結合は安定的でEM抵抗がより高く,2)試験中の抵抗は配線タイプで異なり,3)Alトレースに高い電流密度をかけると配線に問題が生じ,4)Ni層が引き起こす障害もファインピッチ配線に問題を生じ,5)今後の課題としてAlトレースに10⁶A/cm²より小さい電流密度をかける試験が必要である。

シソーラス用語： *バンプ ,  *半導体チップ ,  *エレクトロマイグレーション ,  信頼性試験 ,  はんだ ,  積層構造 ,  メタライゼーション ,  金属間化合物 ,  超小形回路技術 ,  熱処理 ,  数値解析 ,  UBM ,  熱アニーリング ,  無鉛はんだ
準シソーラス用語： *ICチップ ,  スタッキング ,  テストビークル ,  *マイクロバンプ

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  非晶質金属の構造  (BK04020D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 3次元 ,  ICチップ ,  スタッキング ,  Ni ,  Sn ,  金属間化合物 ,  マイクロバンプ ,  エレクトロマイグレーション ,  EM