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J-GLOBAL ID:201102241108245120   整理番号:11A0807420

AlOxNy薄膜のイオンビームスパッタ蒸着によるシリコン太陽電池効率の改善

Improvement of silicon solar cell efficiency by ion beam sputtered deposition of AlOxNy thin films
著者 (8件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: C392  発行年: 2011年03月20日 
JST資料番号: B0026B  ISSN: 1559-128X  CODEN: APOPAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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p型シリコンの表面を不動態化するため,負電荷材料,AlOxNyを作成した。AlOxNyの作成は,p型シリコンウエハ表面上にAlN薄膜を蒸着するイオンビームスパッタリング蒸着と,続いて酸素雰囲気中のアニーリングにより可能になった。容量-電圧分析は,アニーリング後,固定した電荷密度が1011cm-2から2.26×1012cm-2へ増大することを示す。太陽電池効率は15.9%から17.3%へ上昇した。これは表面再結合速度が1×105から32cm/sへ低下したことと等しい。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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太陽電池 
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