ポケットプロファイル非活性化解析とその原子論的動力学モンテカルロ法を用いたレーザアニールデバイスのV<sub>th</sub>変動へのインパクト

NODA T.; VANDERVORST W.; VANDERVORST W.; VRANCKEN C.; ORTOLLAND C.; ROSSEEL E.; EYBEN P.; ABSIL P.P.; BIESEMANS S.; HOFFMANN T.Y.

文献

J-GLOBAL ID：201102241480383602 整理番号：11A1159882

ポケットプロファイル非活性化解析とその原子論的動力学モンテカルロ法を用いたレーザアニールデバイスのV_th変動へのインパクト

Analysis of Pocket Profile Deactivation and its Impact on Vth variation for Laser Annealed Device using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach

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資料名：
巻： 2010 ページ： 383-386 発行年： 2010年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

32nm技術ノードとそれ以降には,小さなV_th変動をもつ接合深さのスケーリングが要求される。本報告は原子論的動力学モンテカルロ(KMC)近似計算法を用いて,レーザアリーリングしたデバイスにつきポケットプロファイル非活性化とそのV_th変動への影響を明らかにした。また,カーボン同時注入がpFET拡張/ポケットに及ぼす影響についても原子論的KMCを用いてモデリングした。KMCによれば,nFETのB-ポケットは顕著な非活性化を示したけれども,pFETのAs-ポケットでは熱的収支スケーリングでの非活性化は認められなかった。pFETデバイスはnFETよりもV_thミスマッチの熱収支スケーリングが小さいとわかった。このポケット非活性化の相違は,nFETがpFETよりも高いV_thミスマッチであることの主な理由のひとつである。

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トランジスタ

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ポケットプロファイル非活性化解析とその原子論的動力学モンテカルロ法を用いたレーザアニールデバイスのVth変動へのインパクト

ポケットプロファイル非活性化解析とその原子論的動力学モンテカルロ法を用いたレーザアニールデバイスのV_th変動へのインパクト