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J-GLOBAL ID：201102241593296269   整理番号：11A1501375

半導体光源の最前線 高ピークパワー超短パルス青紫色GaInN半導体レーザー

High-Peak-Power Ultrashort-Pulse GaInN Blue-Violet Semiconductor Lasers

著者 (3件)： 横山弘之 (東北大 未来科学技術共同セ) ,  倉本大 (東北大 未来科学技術共同セ) ,  倉本大 (ソニー 先端マテリアル研)
資料名： 光学  (Japanese Journal of Optics)
巻： 40  号： 9  ページ： 478-483  発行年： 2011年09月10日 
JST資料番号： G0125B  ISSN： 0389-6625  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 400nm帯のGaInN半導体レーザにおけるピコ秒の超短光パルスの発生と100W超ピークパワーへの増幅に関する著者らの研究について解説した。時間幅3ps以下,ピークパワー100W以上の光パルスをギガヘルツ繰り返しで発生させる目標性能を得た全半導体レーザ光源は,外部共振器型のモード同期半導体レーザ(MLLD)発振器と一段の半導体レーザ光増幅器(SOA)から構成される。MLLDの動作特性,利得スイッチング動作,セルフパルセーション動作について,主要な特性を紹介する。次いで,MLLDから発生した光パルスの高ピークパワー化を図るためのSOAの設計経緯について説明し,光パルス増幅時のASEノイズ成分が最大でも15%以下にまで顕著に低減され,横モードを単一に保持した上で,3psの時間幅で100W超のピークパワーを得るに至ったことを述べた。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *半導体レーザ ,  *パルスレーザ ,  ピコ秒 ,  高出力レーザ ,  可視レーザ ,  特性 ,  半導体光増幅器 ,  *超短パルスレーザ ,  モード同期レーザ ,  青紫色レーザ
準シソーラス用語： *GaInN ,  ピコ秒レーザ ,  動作特性

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (24件)：

• NAKAMURA, S. InGaN-based multiquantum-well-structure laser diodes. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L74-L76
• AKASAKI, I. Shortest wavelength semiconductor laser diode. Electron. Lett. 1996, 32, 1105-1106
• YOKOYAMA, H. Semiconductor lasers enable advances in nonlinear biophotonics. SPIE Newsroom. 2008
• 横山弘之. 高機能ピコ秒半導体レーザーによる多光子バイオイメージング. オプトロニクス. 2009, 29, 54-58
• YOKOYAMA, H. Nonlinear-microscopy optical-pulse sources based on mode-locked semiconductor lasers. Opt. Express. 2008, 16, 17752-17758

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー ,  超短パルス ,  青紫色 ,  半導体レーザー