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J-GLOBAL ID：201102243004429290   整理番号：11A0101411

半導体ナノ構造における無反転増幅:遠赤外およびテラヘルツ光を放射する周波数可変レーザを作製する方法

Inversionless Amplification in Semiconductor Nanostructures: A Way to Create a Frequency-Tunable Laser of Far-Infrared and Terahertz Radiation

著者 (1件)： KUKUSHKIN V. A. (Inst. Applied Physics, Russian Acad. Sci., Nizhni Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 11  ページ： 1435-1440  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノ構造における無反転増幅に基づいて,遠赤外光およびテラヘルツ光を放射する周波数可変レーザを作製する方法を理論的に研究した。金属から成る平面導波路内に設置され,炭酸ガスレーザによって励起された二重量子井戸型超格子から成る半導体ナノ構造を基本とする遠赤外増幅器,あるいはレーザを提案する。この構造における電磁波の増幅は無反転機構に基づいている。この構造を利用して,パルスモードによる室温動作が可能で,励起強度を変えることによって発振波長を2倍程度調整可能であると考えられる。

シソーラス用語： *遠赤外線 ,  *電磁波 ,  反転分布 ,  多重量子井戸 ,  人工超格子 ,  半導体 ,  ナノ構造 ,  増幅器 ,  *赤外レーザ ,  半導体レーザ ,  炭酸ガスレーザ ,  光ポンピング ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 分布反転 ,  無反転増幅 ,  二重量子井戸 ,  励起強度

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半導体ナノ構造 ,  反転増幅 ,  遠赤外 ,  テラヘルツ光 ,  放射 ,  可変 ,  レーザ ,  作製