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J-GLOBAL ID：201102243170389956   整理番号：11A0551552

ナノ人工構造化による軽金属酸化物の電子機能開発

Electronic functionalities of nano-structured simple metal oxides

著者 (1件)： 須崎友文 (東京工大 応用セラミックス研)
資料名： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
巻： 2010  ページ： NO.47 (WEB ONLY)  発行年： 2010年 
JST資料番号： U0002A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 現在のエレクトロニクスにおいて,各デバイスのスケールダウンは最重要の課題の一つである。デバイスのスケールダウンが進むと,古典的デバイスは設計通りには動作をしなくなるため,ナノスケールデバイスの開発においては,ナノスケール固有の現象を利用することが重要な戦略となる。本提案では,軽金属酸化物を素材とし,界面において導電性,磁性などの機能性を実現することを目指した。具体的には,軽金属酸化物の分極構造をレーザーアブレーション法で作製することを狙い,特に代表的な分極構造であるMgO(111)配向薄膜をサファイア基板上に形成することに成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： *電子技術 ,  縮小 ,  *酸化マグネシウム ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  レーザアブレーション ,  X線回折 ,  分圧 ,  圧力効果 ,  ナノ構造 ,  基板温度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： スケールダウン ,  酸化物薄膜 ,  酸素分圧

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (5件)：

• D. M. Roessler and W. C. Walker, 1967. Phys. Rev.159: 733.
• S. Schintke et al., 2001. Phys. Rev. Lett.87, 276801.
• M. Kiguchi et al., 2003. Phys. Rev. B 68, 115402.
• T. Susaki et al., 2009. Appl. Phys. Express 2, 091403.
• Y. Chen et al., 2001. Appl. Phys. Lett.78, 3352.

タイトルに関連する用語 (5件)： 人工 ,  構造化 ,  金属酸化物 ,  電子 ,  開発