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J-GLOBAL ID：201102243858820570   整理番号：11A0955227

鉄微粒子を用いた2インチ単結晶4H-SiC基板のダメージフリー平坦化

著者 (5件)： 久保田章亀 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  吉村奨彦 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  一森佑也 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  中西義孝 (熊本大 大学院自然科学研究科) ,  峠睦 (熊本大 大学院自然科学研究科)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2011  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.G13  発行年： 2011年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンカーバイド(SiC)やガリウムナイトライド(GaN)は,優れた物性値を持つことから,次世代パワー半導体デバイス用材料として注目されている。しかし,これらの材料は,高硬度,かつ化学的に安定な材料であるため,加工することが非常に難しく,基板の加工が技術的課題となっている。この課題に対して,われわれは,過酸化水素水中において,鉄微粒子表面上で生成されるOHラジカル(OH・)を利用した新しい化学的加工法を提案している。本報告では,鉄微粒子を利用した2インチ単結晶SiC基板のダメージフリー加工について報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *改変 ,  *炭化ケイ素 ,  *電力トランジスタ ,  過酸化水素 ,  ラッピング ,  機械工作
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *平坦化

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 鉄 ,  微粒子 ,  インチ ,  単結晶 ,  4H-SiC ,  ダメージ ,  平坦化