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J-GLOBAL ID：201102244942466680   整理番号：11A1159909

最新のGaN-オン-Si HEMTへの電圧,温度と素子幾何形状依存性に関する総合的信頼性検討

A Comprehensive Reliability Investigation of the Voltage-, Temperature- and Device Geometry-Dependence of the Gate Degradation on state-of-the-art GaN-on-Si HEMTs

著者 (17件)： MARCON D. (imec, Leuven, BEL) ,  MARCON D. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  KAUERAUF T. (imec, Leuven, BEL) ,  MEDJDOUB F. (imec, Leuven, BEL) ,  DAS J. (imec, Leuven, BEL) ,  VAN HOVE M. (imec, Leuven, BEL) ,  SRIVASTAVA P. (imec, Leuven, BEL) ,  SRIVASTAVA P. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  CHENG K. (imec, Leuven, BEL) ,  LEYS M. (imec, Leuven, BEL) ,  MERTENS R. (imec, Leuven, BEL) ,  MERTENS R. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  DECOUTERE S. (imec, Leuven, BEL) ,  MENEGHESSO G. (Univ. Padova, ITA) ,  ZANONI E. (Univ. Padova, ITA) ,  BORGHS G. (imec, Leuven, BEL) ,  BORGHS G. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 472-475  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間依存誘電破壊(TDDB)方法を用いて,GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)のゲート漏洩劣化機構について初めて詳細に解析した。ゲート劣化では臨界電圧が存在し,劣化観測に必要な時間(t_BD)は強い電圧依存性を有することを示した。また,t_BDはWeibull分布に従い,その電圧加速はべき乗則モデルに最も良く整合することを示した。さらに,ゲート劣化は,弱い温度依存性を示し,固定バイアス条件でArrhenisu則に従うことを示した。その電圧加速則は温度とともに変化するため,電圧加速評価は目標温度条件で行う必要があることを示した。最後に,臨界電圧はゲート-ドレイン間間隔とともに線形に変化し,4μmゲート-ドレイン間間隔素子の場合,200°Cの動作温度で1%不良は,2GHz応用に対し50Vバイアス以上の設計目標を保証できることを示した。以上の結果から,この総合信頼性評価により,所定の幾何形状に対し寿命の外挿推定を可能にした。

シソーラス用語： *信頼性試験 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  ケイ素 ,  *絶縁破壊 ,  時間依存性 ,  漏れ電流 ,  *ゲート【半導体】 ,  絶縁劣化 ,  温度依存性 ,  Weibull分布 ,  経時絶縁破壊
準シソーラス用語： TDDB

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  Si ,  HEMT ,  幾何形状 ,  依存性