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J-GLOBAL ID：201102246248132310   整理番号：11A1937943

MOS構造用に重度のホウ素注入を行なった窒素ドープケイ素膜:シミュレーションとキャラクタリゼーション

Nitrogen doped silicon films heavily boron implanted for MOS structures: Simulation and characterization

著者 (11件)： MAHAMDI R. (LEMEAMED, Dep. of Electronics, Univ. Mentouri Constantine, DZA) ,  MAHAMDI R. (Dep. of Electronics, Univ. Hadj Lakhdar Batna, DZA) ,  MANSOUR F. (LEMEAMED, Dep. of Electronics, Univ. Mentouri Constantine, DZA) ,  BOURIDAH H. (Dep. of Electronics, Univ. of Jijel, DZA) ,  TEMPLE-BOYER P. (CNRS-LAAS; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA) ,  TEMPLE-BOYER P. (Univ. de Toulouse; UPS, INSA, INP, ISAE; LAAS; F-31077 Toulouse, FRA) ,  SCHEID E. (CNRS-LAAS; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA) ,  SCHEID E. (Univ. de Toulouse; UPS, INSA, INP, ISAE; LAAS; F-31077 Toulouse, FRA) ,  JALABERT L. (CNRS-LAAS; 7 avenue du colonel Roche, F-31077 Toulouse, FRA) ,  JALABERT L. (Univ. de Toulouse; UPS, INSA, INP, ISAE; LAAS; F-31077 Toulouse, FRA) ,  JALABERT L. (LIMMS-CNRS/IIS, The Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 13  号： 5-6  ページ： 383-388  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究においては,結晶化窒素ドープケイ素薄膜(NIDOS)へのホウ素拡散とその活性化を調べ,NIDOS膜中のホウ素と窒素の間の化学的相互作用の影響も議論している。これらの膜を,MOS構造用P⁺ポリシリコンゲートの開発のために低圧化学蒸着(LPCVD)によって蒸着している。窒素量の増加によるホウ素拡散の低下をSIMSプロファイルで観察している。SUPREM IVソフトウェアをNIDOS膜中のホウ素拡散係数を推定するために使用している。FTIR解析が,温度と時間に関した熱処理に強く依存する密度のB-N錯体の出現を示している。電気抵抗率測定とSEM観察を通して,B-N錯体の形成は,電気的に活性なホウ素と多結晶粒成長の両方の減少によって多結晶薄層の電気的性質を劣化させる傾向にあると推論している。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  ホウ素 ,  窒素 ,  *ドーピング ,  *電気抵抗率 ,  拡散係数 ,  計算機シミュレーション

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOS構造 ,  窒素ドープ ,  ケイ素膜 ,  シミュレーション ,  キャラクタリゼーション