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J-GLOBAL ID：201102246560668944   整理番号：11A1250055

(サブ)20nmハーフピッチ単一ダマシン構造のためのスペーサ形成二重パターニング

Spacer defined double patterning for (sub-)20nm half pitch single damascene structures

著者 (8件)： VERSLUIJS Janko (imec vzw, Leuven, BEL) ,  SIEW Yong Kong (imec vzw, Leuven, BEL) ,  KUNNEN Eddy (imec vzw, Leuven, BEL) ,  VANGOIDSENHOVEN Diziana (imec vzw, Leuven, BEL) ,  DEMUYNCK Steven (imec vzw, Leuven, BEL) ,  WIAUX Vincent (imec vzw, Leuven, BEL) ,  DEKKERS Harold (imec vzw, Leuven, BEL) ,  BEYER Gerald (imec vzw, Leuven, BEL)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7973  号： Pt.2  ページ： 79731R.1-79731R.11  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一ダマシンのための20nmハーフピッチスペーサ形成二重パターニングスキームを,浸漬リソグラフィーを用いて開発することに成功した。3マスクアプローチを用いて,CD線,平行線,及びフォーク-フォーク構造のような,Cu相互接続テスト構造を作製することに成功した。スペーサ形成二重パターニングは,アラインメントの注意深い設定を必要とした。オーバレイ,CD一様性,LWR及びLERを,パターニングプロセス全体を通して各段階において評価した。結果として,相互接続構造の許容しうる電気的性能を得た。

シソーラス用語： *ピッチ【機械要素】 ,  *半導体プロセス ,  *配線 ,  スペーサ ,  *パターン形成 ,  *フォトリソグラフィー ,  寸法精度 ,  表面粗さ ,  自己整合 ,  フォトマスク ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： ハーフピッチ ,  ダマシン構造 ,  浸漬リソグラフィー ,  LER ,  線幅疎さ ,  SDDP ,  PSM【フォトマスク】 ,  EUVリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  ハーフピッチ ,  ダマシン構造 ,  スペーサ ,  二重パターニング