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J-GLOBAL ID：201102247367372368   整理番号：11A1053092

SiC表面分解カーボンナノチューブ成長法における水素雰囲気中アニール処理効果-直径均一化の試み-

著者 (4件)： 丸山隆浩 (名城大 理工) ,  上田和史 (名城大 理工) ,  飯島祐樹 (名古屋大 理) ,  成塚重弥 (名城大 理工)
資料名： 名城大学総合研究所紀要  (Bulletin of Research Institute of Meijo University)
号： 15  ページ： 165-168  発行年： 2010年03月31日 
JST資料番号： L6402A  ISSN： 1344-8099  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiC(000-1)表面を真空中1200°C以上で加熱ことによって多層カーボンナノチューブ(CNT)が生成するが,その直径の均一性や膜中にカーボンの不純物が含まれる問題点があった。SiC(000-1)表面を清浄化してその問題を解決するために,水素雰囲気中の表面加熱処理を検討した。表面加熱処理は1000~1250°C,水素圧力10^-4~10^-2Paで30分間行った。加熱後の表面状態をSTM,XPSおよびAES法で評価した。その結果,水素表面加熱処理によって,フッ酸エッチングでは完全には除去できなかったSiC表面の酸化物が除去できた。また,1250°C,30分間の加熱で生成したCNTの直径の均一性も改善された。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *熱分解 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  *直径 ,  *均一性 ,  熱処理 ,  *表面処理 ,  *浄化 ,  表面分析 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  Auger分光法

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (9件)： SiC ,  分解 ,  カーボンナノチューブ ,  成長 ,  水素雰囲気 ,  アニール処理 ,  直径 ,  均一化 ,  試み