文献

J-GLOBAL ID：201102248325794234   整理番号：11A0796548

ナノロッドを導入したREBa₂Cu₃O_y薄膜における臨界電流密度に与える酸素アニール効果

著者 (6件)： 春田正和 (高知工科大) ,  MELE P. (九州工大) ,  松本要 (九州工大) ,  前田敏彦 (高知工科大) ,  下山淳一 (東大) ,  堀井滋 (高知工科大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-KJ-6  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ナノロッド ,  イットリウムバリウム銅酸化物 ,  *臨界電流密度 ,  *効果 ,  *焼なまし ,  *YBCO薄膜 ,  酸素 ,  依存性
準シソーラス用語： *焼なまし効果 ,  磁場依存性

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノロッド ,  薄膜 ,  臨界電流密度 ,  酸素 ,  アニール効果